闪迪陈健:48层3D NAND芯片明年量产

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2015-11-25
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日前,闪迪发布了256 GB 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片,并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。作为闪迪3D NAND总负责人,闪迪(SanDisk)全球技术开发部副总裁陈健近日向记者表示,目前闪迪与产业链下游合作伙伴适配进展非常顺利,预计明年将量产。

“我本人一直是工程师,在闪迪工作了二十年,现在是3D NAND的总负责人。”陈健向记者表示,可见陈健在闪迪的3D NAND业务中具有一定的话语权,同时由于业务知识的长期积淀,陈健也可谓整个闪存产业中的专家,他亲眼见证了闪存的崛起以及技术的变迁。

陈健坦言,NAND本身也有二十多年的历史了,这二十多年来,NAND的应用越来越广,市场越来越大,可以说真的改变了整个传统存储产业。相较于磁带、磁盘等传统介质,闪存的市场份额一直在扩大。

据介绍,二十年前,闪存有两种技术,NAND和Nor Flash,起初,Nor Flash是主流,尽管存储容量小但优点是接入速度很快,所以都用在手机或者PC。当时NAND技术刚刚起步,现在NAND发展势头更猛,因为NAND成本低,而且可以缩小,NAND随机速度相对慢,但是顺序写入速度非常快。在NAND行业里面,闪迪非常资深,从1999年就开始专攻NAND技术。十几年下来,成本已经降低了五万倍,市场容量也得以不断膨胀。二十年以前,DRAM总共有300亿美元的市场,硬盘也有300亿美元左右,NAND闪存才1-2亿美元都不到。而目前,比如去年,硬盘、闪存和DRAM均有300亿美元左右的市场。

从技术趋势来看,NAND闪存前景无限,因为它突破了摩尔定律。陈健认为,相对于2D NAND,3D NAND突破了摩尔定律的限制,且拥有更先进的制程工艺,3D NAND是摩尔定律与后摩尔定律的分水岭标志性技术,其突破了摩尔定律的限制,思路已不再是局限在工艺纳米数,而是3D的层数,就像盖房子,在原有的面积上盖得层数越高,容量也就越大,单位成本也就越低。他表示,48层比32层更为复杂,但最终3D NAND将发展到多少层还是未知数。

记者了解到,闪迪3D NAND采用的是BiCS非易失性存储器架构,可以提高存储密度、可扩展性和性能,还具备更好的写/擦耐久力、更快的写入速度和更高的能效。作为闪迪3D NAND量产专用设施,东芝和闪迪在两公司共同运营的四日市工厂第二厂房已有部分竣工,两公司已签订了共同实施设备投资的正式协议。市场数据显示,预计未来两年NAND闪存市场年均增速有望达到17%,市场规模有望从2014年的280亿美元增长至2016年的390亿美元。基于3D NAND的多层单元技术将成为主要催化剂,有望使每GB内存价格从当前水平降低40%左右。


来源:            责任编辑:徐恒
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